英伟达寻求破解存储瓶颈 台积电据悉考虑布局3D DRAM

2026-11-07 · 万生配资

AI算力需求持续爆发， 存储芯片 供应紧张正成为制约 人工智能 基础设施扩张的重要瓶颈，全球最大芯片代工厂 台积电 也开始考虑向存储制造领域延伸。 据媒体周五报道， 台积电 近期开始制定先进 存储芯片 生产计划，考虑制造一种名为3D DRAM的新型 存储芯片 。这一计划据称是应其最大客户 英伟达 的要求而启动的，旨在扩大 台积电 在AI硬件供应链中的业务份额

AI算力需求持续爆发， 存储芯片 供应紧张正成为制约 人工智能 基础设施扩张的重要瓶颈，全球最大芯片代工厂 台积电 也开始考虑向存储制造领域延伸。

据媒体周五报道， 台积电 近期开始制定先进 存储芯片 生产计划，考虑制造一种名为3D DRAM的新型 存储芯片 。这一计划据称是应其最大客户 英伟达 的要求而启动的，旨在扩大 台积电 在AI硬件供应链中的业务份额。

知情人士称，台积电正在评估新建工厂或收购现有 半导体 工厂并改造为存储芯片生产设施两种方案，目前尚未明确量产时间。该项目由负责台积电 先进封装 业务的副总裁徐国晋牵头。

长期以来，台积电主要为 英伟达 、 苹果 等客户代工逻辑芯片，并通过CoWoS等 先进封装 技术，将GPU等 AI芯片 与高带宽存储器(HBM)集成在同一封装中，以提升数据传输效率。存储芯片制造则主要由三星 电子 、 SK海力士 和 美光科技 主导。

此次台积电考虑布局的3D DRAM，通过垂直堆叠存储单元提高存储密度，有望成为下一代DRAM技术的发展方向。

如果计划落地，台积电将从芯片代工和 先进封装 进一步延伸至存储制造，直接参与AI硬件供应链中日益重要的存储环节。

台积电考虑跨界布局的背后，是AI产业扩张带来的存储芯片供需失衡。随着 英伟达 等厂商不断推出更强大的AI加速器， 数据中心 对HBM和服务器DRAM的需求快速增长。由于HBM生产需要占用大量先进DRAM产能，存储厂商纷纷将资源向高附加值产品倾斜，进一步加剧供应紧张。

存储制造商也在加快扩产。美光今年3月宣布以18亿美元收购力积电的一座工厂，计划将其改造为DRAM生产设施，预计2027年下半年开始形成有意义的晶圆产出。

不过，台积电进入存储市场并非没有挑战。三星 电子 、 SK海力士 和美光在DRAM领域拥有成熟的生产体系和规模优势，台积电若决定入局，将直接面对这些长期占据市场主导地位的竞争对手。

此外，存储芯片行业具有明显的周期性特征，价格上涨往往刺激厂商扩产，随后可能引发供应过剩。台积电需要权衡AI需求增长的持续性，以及大规模资本投入可能带来的风险。